传统的硅片加工工艺过程为：单晶生长，晶棒的裁切，外径滚磨，切片，倒角，研磨， 腐蚀，清洗，抛光，检验和包装等。
切割片加工是在单晶滚圆工序完成后，对单晶硅棒切片。切片是硅片制备中的一道重要工序，它不仅决定了硅片的几个重要参数，如晶向偏离度、总厚度误差、平行度、翘曲度等，这些参数的精度直接影响了后道工序，其加工质量还决定了后序工艺的加工量以及最终硅片的成品率，它的切割损耗也间接决定了硅片的出品率。微电子工业中需要对这些参数严格控制，但是，太阳电池用硅片对这几个参数的要求不是很高，只是对硅片的厚度进行检测和控制。研磨的目的是为了去除切割过程所造成的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的翘曲度、平坦度和平行度，从而达到抛光工序可以处理的规格。
腐蚀工艺是指采用化学方法去除硅片经切割和研磨等机械作用后表面受应力作用而形成的一定厚度的损伤层。
抛光是指为获得极高的平坦度和极小表面粗糙度的光亮表面，去除前工序残留的微缺陷和表面变质层的加工工艺。
半导体技术是微电子工业的基础，在过去的半个多世纪里，半导体微芯片的价格逐渐 下降，并且目前这一势头仍在保持，这就要求硅片的制造价格显著降低，因为硅片的制作 成本占了整个芯片生产成本的 30%左右(对于 300 mm 硅片工艺)。硅片作为生产大多数芯 片的起始材料，其表面要求达到一定的平坦度，以便于丝网印刷工艺的完成，硅片表面平 整度还直接影响了线宽精度、出品率和总产量。未来半导体器件的尺寸将进一步减小，这就对硅片的表面质量和平整度提出了更高的要求。
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